VS-VSKH250-18PBF
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKH250-18PBF
| Artikelnummer: | VS-VSKH250-18PBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | MODULE DIODE 250A MAGN-A-PAK |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKH250-18PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments VS-VSKH250-18PBF.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Aus-Zustand 400 V Spannung - Gate-Trigger (VGT) (Max) 3 V Struktur Series Connection - SCR/Diode Serie - Verpackung / Gehäuse MAGN-A-PAK (3) Paket Bulk Betriebstemperatur -40°C ~ 130°C (TJ) Anzahl der Thyristoren, Dioden 1 SCR, 1 Diode Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Chassis Mount Strom - EIN-Zustand (It (RMS)) (Max) 555 A Strom - EIN-Zustand (It (AV)) (max) 250 A Strom -. Nicht Rep Surge 50, 60 Hz (ITSM) 8500A, 8900A Strom - Haltestrom (Ih) (Max) 500 mA Strom - Gate Trigger (IGT) (Max) 200 mA Grundproduktnummer VSKH250 VS-VSKH250-18PBF Einzelheiten PDF [English] VS-VSKH250-18PBF PDF - EN.pdf -
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